Fonderie, fabbriche di chips.

 Fonderie, fabbriche di chips.

Siamo da tempo entrati in una nuova era dell'informatica con dati illimitati e intelligenza artificiale. innovazione continua è la pietra angolare della legge di Moore.La legge di Moore è stata proposta da Gordon Moore , uno dei fondatori di Intel . Il suo contenuto è: il numero di transistor che possono essere alloggiati su un circuito integrato raddoppia circa ogni due anni; e i "18 mesi" spesso citati sono realizzati dal CEO di Intel David House. ) propone che 18 mesi dovrebbero raddoppiare le prestazioni del chip (cioè più transistor lo rendono più veloce), osservazione che cresce esponenzialmente. C on la continua introduzione di nuovi nodi di processo, il numero di atomi nei transistor è diventato sempre meno e vari vincoli fisici ne limitano l'ulteriore sviluppo. Ad esempio, quando la lunghezza del gate è sufficientemente breve, si verificherà un tunneling quantistico, Ci sono previsioni che il limite della legge di Moore arriverà intorno al 2025, limite fondamentale all'efficienza di risoluzione di un problema computazionale secondo la legge di Amdahl, ma ci sono previsioni più ottimistiche che durerà più a lungo e iIl  cambiamento di paradigma che consiste nel passaggio dalla microelettronica alla nanotecnologia , vale a dire un insieme di tecniche radicalmente diverse, complementari o concorrenti, come l'uso di nanotubi in transistor molecolari, computer a DNA , calcolo quantistico … Tecnologie comunemente raggruppate sotto il termine "  nano-computing  " che introducono in particolare sistemi ubiquitari e calcolo diffuso. Una questione che riguarda i VVIP e servizi di intelligenza s. Questa è solo patre dell’insieme attuale in evoluzione come nella legge di Moore,  anche con la conseguenzialità elementari logiche sul punto reale apparente e sul punto reale effettivo (interrogativo circostante), il che si realizza nel cercare di capire quale effettivamente e praticamente è il reale punto di evoluzione applicato sul campo, come le stiamo vivendo.

Per quello che è possibile conoscere, molte delle innovazioni hanno infranto e stanno infrangendo le precedenti barriere della legge di Moore e sono presenti nei prodotti odierni, sono iniziate con il lavoro di ricerca sui componenti, inclusi silicio deformato, gate metallici Hi-K, transistor FinFET, RibbonFET e innovazioni di confezionamento, tra cui EMIB e Foveros Direct.

L’ approccio allo stacking multiple transistor (CMOS)  mira a ottenere un miglioramento massimo del ridimensionamento logico dal 30% al 50% e forse più per il continuo avanzamento della legge di Moore, montando più transistor per millimetro quadrato, nell'era dell'angstrom    (è un'unità di lunghezza non appartenente al Sistema internazionale (SI) corrispondente a 0,1 nm o 1×10−10 m[ )   le  ricerca lungimiranti mostrano come nuovi materiali spessi solo pochi atomi possono essere utilizzati per realizzare transistor che superano i limiti dei canali di silicio convenzionali, consentendo milioni di transistor in più per area del die per un'elaborazione sempre più potente nel prossimo tempo. Tecnologie di alimentazione più efficienti stanno avanzando grazie alla prima integrazione al mondo di interruttori di alimentazione e ciò pone le basi per l'erogazione di potenza alle CPU a basse perdite e ad alta velocità, riducendo allo stesso tempo i componenti della scheda madre e lo spazio. Oltre al progresso rappresentato dalle capacità di auto lettura/scrittura a bassa latenza utilizzando nuovi materiali ferroelettrici per possibili tecnologie incorporate di prossima generazione in grado di fornire maggiori risorse di memoria per affrontare la crescente complessità delle applicazioni di elaborazione. Sperimentazioni di dispositivi logico magnetoelectric spin-orbit , tecnologia per la costruzione di scalabili circuiti integrati. MESO i dispositivi operano dall'accoppiamento del magnetoelettrico effetto con lo spin orbita effetto traino a temperatura ambiente, ha mostrato la potenziale producibilità di un nuovo tipo di transistor basato sulla commutazione di magneti su nanoscala. Progressi con la ricerca sui materiali spintronici per avvicinare la ricerca sull'integrazione dei dispositivi alla realizzazione di un dispositivo spin-torque completamente funzionante. ecc.

MM

 

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